ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ802 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ802 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 30 A · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 7.5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 90 V · Leistung (max) P(TOT): 200 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 2 MHz · VCE Sättigung (max.): 800 mV