ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15015 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15015 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Leistungs-Schalttransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 15 A · DC Stromverstärkung (hFE): 10 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 100 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 120 V · Leistung (max) P(TOT): 180 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 6 MHz · VCE Sättigung (max.): 5 V