Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV47E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut

Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV47E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut

NPN-Transistor

NPN-Transistor (8 mm-Gurt).

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 10000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 60 V · Leistung (max) P(TOT): 360 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret · Transitfrequenz f(T): 170 MHz · Typ (Hersteller-Typ): BCV47E6327 · VCE Sättigung (max.): 1 V · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut