IXYS IXFN100N50P MOSFET 1 N-Kanal 1040 W SOT-227B

IXYS IXFN100N50P MOSFET 1 N-Kanal 1040 W SOT-227B

Power MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 500 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 20000 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-227B · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IXY · I(d): 90 A · Leistung (max) P(TOT): 1040 W · Montageart: Gehäuse · Q(G): 240 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 49 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 50 A · Serie (Halbleiter): PolarHV™ · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 8 mA · U(GS)(th) max.: 5 V

Hinweis:
Eventuell abweichend zum Herstellerdatenblatt erfolgt die Lieferung grundsätzlich ohne Anschluss-Schrauben, da deren Länge von der jeweiligen Applikation abhängig ist. Die Schrauben in passender Länge mit Federring und Scheibe bitte separat mitbestellen.