Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2907A TO-92 PNP

Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2907A TO-92 PNP

BJT, TO-92, 60V, 600mA, PNP

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 60 V · Leistung (max) P(TOT): 0.625 W · Montageart: Durchsteckmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 300 mV · Weitere technische Daten: Typ: Wire-lead
Gehäuse: TO-92
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 60 V
DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
Polarität - pol: PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 200
VCE: 10 V
IC: 150 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 300 mV
IC: 150 mA
IB: 15 mA
Transitfrequenz - ft: 250 MHz
IC: 20 mA
VCE: 20 V
f: 100 MHz