Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN

Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SC2983 TO-252AA NPN

BJT, DPAK, 160V, 1500mA, NPN

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252AA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 160 V · Leistung (max) P(TOT): 15 W · Montageart: Oberflächenmontage · VCE Sättigung (max.): 1500 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: TO-252AA/D-PAK
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 160 V
DC Kollektorstrom - IC: 1500 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 15.000 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 150
VCE: 5 V
IC: 100 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 1500 mV
IC: 500 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 100 mA
VCE: 10 V
f: MHz