Diotec Transistor (BJT) - diskret BC808-16 SOT-23 PNP

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC808-16 SOT-23 PNP

BJT, SOT-23, 25V, 800mA, PNP

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 25 V · Leistung (max) P(TOT): 0.31 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 50 MHz · VCE Sättigung (max.): 700 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: SOT-23
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 25 V
DC Kollektorstrom - IC: 800 mA
Polarität - pol: PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.310 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 160
VCE: 1 V
IC: 100 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
IC: 500 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 50 MHz