Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817-40R13 SOT-23 NPN

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817-40R13 SOT-23 NPN

BJT, SOT-23, 45V, 800mA, NPN

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 400 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V · Leistung (max) P(TOT): 0.31 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 50 MHz · VCE Sättigung (max.): 700 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: SOT-23
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
DC Kollektorstrom - IC: 800 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.310 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 400
VCE: 1 V
IC: 100 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
IC: 500 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 50 MHz