Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847BP DFN1006-3 NPN

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847BP DFN1006-3 NPN

BJT, DFN1006-3, 45V, 100mA, NPN

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 325 · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006-3 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V · Leistung (max) P(TOT): 0.15 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 1 MHz · VCE Sättigung (max.): 600 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: DFN1006-3
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.150 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 325
VCE: 5 V
IC: 2 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 600 mV
IC: 100 mA
IB: 5 mA
Transitfrequenz - ft: 300 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 1 MHz