Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847S-AQ SOT-363 NPN

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847S-AQ SOT-363 NPN

BJT, SOT-363, 45V, 100mA, NPN

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 270 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V · Leistung (max) P(TOT): 0.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 650 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: SOT-363
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 270
VCE: 5 V
IC: 2 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 650 mV
IC: 100 mA
IB: 5 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 100 MHz