Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856S SOT-363 PNP

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856S SOT-363 PNP

BJT, SOT-363, 65V, 100mA, PNP

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 350 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 65 V · Leistung (max) P(TOT): 0.31 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 600 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: SOT-363
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 65 V
DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
Polarität - pol: PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.310 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 350
VCE: 5 V
IC: 2 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 600 mV
IC: 100 mA
IB: 5 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 100 MHz