Diotec Transistor (BJT) - diskret DI2579N SOT-223 NPN

Diotec Transistor (BJT) - diskret DI2579N SOT-223 NPN

BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1000 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 700 V · Leistung (max) P(TOT): 1.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 0 MHz · VCE Sättigung (max.): 1000 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: SOT-223
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 700 V
DC Kollektorstrom - IC: 1000 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 1.250 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 20
VCE: 5 V
IC: 350 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 1000 mV
IC: 350 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 0 MHz
IC: 0 mA
VCE: 0 V
f: 0 MHz