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Littelfuse IXGN50N120C3H1 IGBT SOT-227U 1200 V


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     3924-2960737-9H
Hersteller:
     Littelfuse
Herst.-Nr.:
     IXGN50N120C3H1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Germaniumdiode
IGBT
Schalttransistor
Transistor
Littelfuse IXGN50N120C3H1 IGBT SOT-227U 1200 V

Disc IGBT PT-HiFreq SOT-227UI(mini

Technische Daten:
Gehäuseart (Halbleiter): SOT-227U · Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 1200 V · VCE Sättigung (max.): 4.2 V · Weitere technische Daten: Package Type: SOT-227U
VCES - Collector-Emitter Voltage (V): 1200 V
Collector Current @ 25 ℃ (A): 95 A
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V): 4.2 V
Fall Time [Inductive Load] (ns): 64 ns
Configuration: Copack (FRED)
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W): 0.27 K/W
Collector Current @ 110 ℃ (A): 50 A
Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ): 2.1 mJ
Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W): 0.3 K/W
Forward Current @ 110 ℃ (A): 58 A

Weitere Suchbegriffe: igbt 1200v, igbt, Littelfuse, IXGN50N120C3H1, Transfer Resistor, Bipolartransistor, bipolar-transisrtor
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