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Littelfuse IXGT30N120B3D1 IGBT TO-268SU 1200 V


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     3924-2960763-9H
Hersteller:
     Littelfuse
Herst.-Nr.:
     IXGT30N120B3D1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Germaniumdiode
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Littelfuse IXGT30N120B3D1 IGBT TO-268SU 1200 V

Disc IGBT PT-Mid Frequency TO-268AA

Technische Daten:
Gehäuseart (Halbleiter): TO-268SU · Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 1200 V · VCE Sättigung (max.): 3.5 V · Weitere technische Daten: Package Type: TO-268SU
VCES - Collector-Emitter Voltage (V): 1200 V
Collector Current @ 25 ℃ (A): 50 A
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V): 3.5 V
Fall Time [Inductive Load] (ns): 204 ns
Configuration: Copack (FRED)
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W): 0.42 K/W
Collector Current @ 110 ℃ (A): 30 A
Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ): 5.1 mJ
Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W): 0.9 K/W
Forward Current @ 110 ℃ (A): 28 A

Weitere Suchbegriffe: Transistor, igbt 1200v, smd transistor, Littelfuse, IXGT30N120B3D1, Transfer Resistor, Bipolartransistor, bipolar-transisrtor
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