Littelfuse IXGT32N120A3 IGBT TO-268S 1200 V

Littelfuse IXGT32N120A3 IGBT TO-268S 1200 V

Disc IGBT PT-Low Frequency TO-268AA

Technische Daten:
Gehäuseart (Halbleiter): TO-268S · Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 1200 V · VCE Sättigung (max.): 2.35 V · Weitere technische Daten: Package Type: TO-268S
VCES - Collector-Emitter Voltage (V): 1200 V
Collector Current @ 25 ℃ (A): 75 A
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V): 2.35 V
Fall Time [Inductive Load] (ns): 1240 ns
Configuration: Single
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W): 0.42 K/W
Collector Current @ 90 ℃ (A): 32 A