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| Artikel-Nr.:
3924-3027160-9H Herst.-Nr.:
FF400R12KE3HOSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Infineon Technologies FF400R12KE3HOSA1 IGBT - Modul 1200 V Bulk
INFINEON IGBT-/Dioden-Module BSM_, FF_,
Technische Daten:
Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 580 A · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 300 ns · Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 1200 V · Montageart: Chassis · Verpackungsart (Bauteile): Bulk · Weitere technische Daten: (UGE(th)) Gate Emitter Schwellenspannung: 5,8 V · (ICpuls) Gepulster Kollektor- Strom: 800 A
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, igbt infineon, igbt, Infineon Technologies, FF400R12KE3HOSA1, Transfer Resistor, Bipolartransistor, bipolar-transisrtor |
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