Leistungstransistor, NPN, 60V, TO-220

Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=MJE3055TG, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=5, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=70 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=60 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=8 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=10 A, Leistungsverteilung (PV)=75 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=2 MHz, Bauform=TO-220, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Röhre