Bezeichnung=IGBT, Typ=IXDN55N120D1, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-40 °C, Emitter-Leckstrom=500 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=2.8 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=100 A, Leistungsverteilung (PV)=450 W, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=-999, Spannung Gate-Emitter (Vge)=20 V, Bauform=SOT-227B, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT Weitere Informationen:  | | Country of origin: | US | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 15 mm | Net weight: | 27 g | Depth: | 40 mm | Gross weight: | 27 g | Width: | 25 mm |
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