Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXTQ82N25P, Abfallzeit=22 ns, Anstiegzeit=20 ns, Ausschaltverzögerung=78 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=250 V, Einschaltverzögerung=29 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=82 A, Leistungsverteilung (PV)=300 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=38 mΩ, Bauform=TO-3P, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal Weitere Informationen:  | | Country of origin: | US | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 5 mm | Net weight: | 6 g | Depth: | 47 mm | Gross weight: | 6 g | Width: | 18 mm |
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