Bezeichnung=Darlington-Transistor, Typ=BDV65BG, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=100 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=1000, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=100 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=100 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=2 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=10 A, Leistungsverteilung (PV)=125 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=TO-247, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Röhre Weitere Informationen:  | | Country of origin: | US | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 5 mm | Net weight: | 6 g | Depth: | 39 mm | Gross weight: | 6 g | Width: | 15 mm |
|