Bezeichnung=Leistungs-MOSFET der E-Serie, Typ=SIHG21N80AE-GE3, Abfallzeit=76 ns, Anstiegzeit=38 ns, Ausschaltverzögerung=71 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=800 V, Einschaltverzögerung=21 ns, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=17.4 A, Leistungsverteilung (PV)=32 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=205 mΩ, Bauform=TO-247AC, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen:  | | Country of origin: | CN | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 5 mm | Net weight: | 3 g | Depth: | 35 mm | Gross weight: | 3 g | Width: | 15 mm |
|