Bezeichnung=MOSFET, Typ=FDN5630, Abfallzeit=15 ns, Anstiegzeit=15 ns, Ausschaltverzögerung=28 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=60 V, Einschaltverzögerung=20 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=1.7 A, Leistungsverteilung (PV)=500 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=120 mΩ, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Country of origin: | PH | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 2 mm | Net weight: | 0,020 g | Depth: | 8 mm | Gross weight: | 0,02 g | Width: | 5 mm |
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