Bezeichnung=IGBT, Typ=IXA60IF1200NA, Betriebstemperatur, max.=125 °C, Betriebstemperatur, min.=-40 °C, Emitter-Leckstrom=500 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1.8 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=88 A, Leistungsverteilung (PV)=290 W, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=-999, Spannung Gate-Emitter (Vge)=20 V, Bauform=SOT-227B, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Verpackung=Röhre Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Country of origin: | TW | Customs tariff number: | 8541100000 | Height: | 8 mm | Net weight: | 29 g | Depth: | 38 mm | Gross weight: | 29 g | Width: | 26 mm |
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