MOSFET, N-Kanal, 650V, 80A, TO-247

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXFH80N65X2, Abfallzeit=11 ns, Anstiegzeit=24 ns, Ausschaltverzögerung=70 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=650 V, Einschaltverzögerung=32 ns, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=80 A, Leistungsverteilung (PV)=890 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=38 mΩ, Bauform=TO-247, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre