Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXFH80N65X2-4, Abfallzeit=11 ns, Anstiegzeit=24 ns, Ausschaltverzögerung=70 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=650 V, Einschaltverzögerung=32 ns, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=80 A, Leistungsverteilung (PV)=890 W, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=38 mΩ, Bauform=TO-247, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre Weitere Informationen:  | | Country of origin: | US | Customs tariff number: | 8541100000 | Height: | 5 mm | Net weight: | 6,300 g | Depth: | 43 mm | Gross weight: | 6,3 g | Width: | 18 mm |
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