Bezeichnung=MOSFET-Modul, Typ=IXTN102N65X2, Abfallzeit=11 ns, Anstiegzeit=28 ns, Ausschaltverzögerung=67 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=650 V, Einschaltverzögerung=37 ns, Gate-Source-Schleusenspannung=5 V, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=76 A, Leistungsverteilung (PV)=595 W, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=30 mΩ, Bauform=SOT-227B, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Country of origin: | US | Customs tariff number: | 8541100000 | Height: | 5 mm | Net weight: | 29,420 g | Depth: | 38 mm | Gross weight: | 29,42 g | Width: | 26 mm |
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