Bezeichnung=IGBT, Typ=IKW30N65H5XKSA1, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-40 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=650 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1.65 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=30 A, Leistungsverteilung (PV)=188 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Spannung Gate-Emitter (Vge)=20 V, Bauform=TO-247, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Verpackung=Röhre Weitere Informationen:  | | Country of origin: | CN | Customs tariff number: | 8541100000 | Height: | 5 mm | Net weight: | 6 g | Depth: | 40 mm | Gross weight: | 6 g | Width: | 16 mm |
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