Bezeichnung=Darlington-Transistor, Typ=MJD31CT4, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.8 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=50, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=100 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=100 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1.2 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=3 A, Leistungsverteilung (PV)=-999, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=TO-252, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen:  | | Country of origin: | CN | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 3 mm | Net weight: | 0,500 g | Depth: | 16 mm | Gross weight: | 0,5 g | Width: | 10 mm |
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