Bezeichnung=MOSFET, Typ=XP223N1001TR-G, Abfallzeit=10 ns, Anstiegzeit=8 ns, Ausschaltverzögerung=26 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=20 V, Einschaltverzögerung=8 ns, Gate-Source-Spannung=8 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=1 A, Leistungsverteilung (PV)=400 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=300 mΩ, Bauform=SOT-23, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen:  | | Country of origin: | JP | Customs tariff number: | 8542900000 | Height: | 2 mm | Net weight: | 0,010 g | Depth: | 8 mm | Gross weight: | 0,01 g | Width: | 5 mm |
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