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| Artikel-Nr.: 8737-1228354 Herst.-Nr.: FDA59N30 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047 ohmProduktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 59 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-3P Drain-Source-Spannung Vds: 300 VVerlustleistung: 500 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: Lead (27-Jun-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDA59N30, 1228354, 122-8354 |
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