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| Artikel-Nr.: 8737-1453612 Herst.-Nr.: NTS2101PT1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 1.4 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-323 Drain-Source-Spannung Vds: 8 VVerlustleistung: 290 mWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 mVSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTS2101PT1G, 1453612, 145-3612 |
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