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ONSEMI MMBT5551LT1G TRANSISTOR, NPN, SOT-23

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-1459109

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
MMBT5551LT1G

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Schalttransistor
Transistor
schalttransistor npn
schalttransistor

Produktpalette: MMBTxxxx

MSL: -

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Wandlerpolarität: NPN

Übergangsfrequenz: -

Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 V

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOT-23

Dauer-Kollektorstrom: 600 mA

DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hFE

Verlustleistung: 225 mW

Qualifikation: AEC-Q101

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Transistoren > Bipolare Transistoren > Einzelne bipolare Schichttransistoren (BJT)

Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, (BJT), Bipolare, Dioden, Einzelne, Gleichrichter, Schichttransistoren, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, MMBT5551LT1G, 1459109, 145-9109

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