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| Artikel-Nr.: 8737-1459109 Herst.-Nr.: MMBT5551LT1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Produktpalette: MMBTxxxx MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 VBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-23 Dauer-Kollektorstrom: 600 mADC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hFEVerlustleistung: 225 mWQualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, (BJT), Bipolare, Dioden, Einzelne, Gleichrichter, Schichttransistoren, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, MMBT5551LT1G, 1459109, 145-9109 |
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