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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.194 ohm, TSMT, Oberflächenmontage

Menge:

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Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-1525552

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
RTQ020N03TR

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 2a

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.194 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 6 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 2 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TSMT

Drain-Source-Spannung Vds: 30 V

Verlustleistung: 1.25 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, rohm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RTQ020N03TR, 1525552, 152-5552

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