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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-1775548
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IPB081N06L3GATMA1
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.0067 ohm
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
50 A
Betriebstemperatur, max.:
175 °C
Bauform - Transistor:
TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds:
60 V
Verlustleistung:
79 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
1.7 V
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
leistungs-mosfet
,
mosfet 50a
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
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Transistoren
,
INFINEON
,
IPB081N06L3GATMA1
,
1775548
,
177-5548
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