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VISHAY SI2319DS-T1-E3 MOSFET, P-KANAL, 40V, 2.3A, SOT23-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-1838990
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2319DS-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-236
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 750 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2319DS-T1-E3, 1838990, 183-8990
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