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VISHAY SI7431DP-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL DIODE 200V 3.8A SO8 PPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-1858973
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI7431DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
vishay diode
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2.2 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SO
  • Drain-Source-Spannung Vds: 200 V
  • Verlustleistung: 5.4 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: diode, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI7431DP-T1-GE3, 1858973, 185-8973
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