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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2083341
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FDT86102LZ
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.022 ohm
Produktpalette:
PowerTrench
MSL:
-
Anzahl der Pins:
4 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
6.6 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
SOT-223
Drain-Source-Spannung Vds:
100 V
Verlustleistung:
2.2 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
1.4 V
SVHC:
Lead (23-Jan-2024)
RoHS konform: Keine Angaben
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
leistungs-mosfet
,
mosfet sot-223
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
ON SEMICONDUCTOR
,
FDT86102LZ
,
2083341
,
208-3341
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Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 500 mA 20V 8-Pin PDIP 65ns
Infineon
IR2117SPBF
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