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ONSEMI FDC655BN MOSFET, N-KANAL, 30V, 0.0063A, SSOT-6

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2101405

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDC655BN

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 6 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 6.3 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SuperSOT

Drain-Source-Spannung Vds: 30 V

Verlustleistung: 800 mW

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDC655BN, 2101405, 210-1405

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