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| Artikel-Nr.: 8737-2101451 Herst.-Nr.: SI7489DP-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033 ohmProduktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 28 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 83 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, igbt, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI7489DP-T1-GE3, 2101451, 210-1451 |
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