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VISHAY SI7164DP-T1-GE3 MOSFET N-KANAL 60V 60A, POWERPAK SO-8
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2101458
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SI7164DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.00625 ohm
Produktpalette:
TrenchFET Series
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
8 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
60 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
PowerPAK SO
Drain-Source-Spannung Vds:
60 V
Verlustleistung:
104 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
4.5 V
SVHC:
Lead (10-Jun-2022)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
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,
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,
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,
Einfache
,
FETs
,
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,
Thyristoren
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,
VISHAY
,
SI7164DP-T1-GE3
,
2101458
,
210-1458
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