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Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2251956
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FDC6333C
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal:
30 V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal:
2.5 A
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
6 Pin(s)
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal:
30 V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal:
2.5 A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal:
0.095 ohm
Kanaltyp:
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal:
0.095 ohm
Verlustleistung, n-Kanal:
960 mW
Verlustleistung, p-Kanal:
960 mW
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
SuperSOT
Qualifikation:
-
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Zweifache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
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,
mosfet sot-23
,
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,
on semiconductor mosfet
,
Dioden
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
Zweifache
,
ONSEMI
,
FDC6333C
,
2251956
,
225-1956
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