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| Artikel-Nr.: 8737-2283625 Herst.-Nr.: SIHU5N50D-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 ohmProduktpalette: D MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 5.3 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-251 Drain-Source-Spannung Vds: 500 VVerlustleistung: 104 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: Lead (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHU5N50D-GE3, 2283625, 228-3625 |
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