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Artikel
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2283640
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SIHP7N60E-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.5 ohm
Produktpalette:
E
MSL:
-
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Durchsteckmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
7 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TO-220AB
Drain-Source-Spannung Vds:
600 V
Verlustleistung:
78 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
2 V
SVHC:
Lead (19-Jan-2021)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
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>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
Transistor
,
mosfet vishay
,
leistungs-mosfet
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
VISHAY
,
SIHP7N60E-GE3
,
2283640
,
228-3640
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