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ONSEMI 2N7002ET1G MOSFET, N-KANAL, 60V, 310MA, SOT-23-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2317895
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     2N7002ET1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 310 mA
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 420 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, 2N7002ET1G, 2317895, 231-7895
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