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Artikel
ONSEMI FDB047N10 MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-263-3
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2322574
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FDB047N10
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.0039 ohm
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
120 A
Betriebstemperatur, max.:
175 °C
Bauform - Transistor:
TO-263AB
Drain-Source-Spannung Vds:
100 V
Verlustleistung:
375 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
3.5 V
SVHC:
Lead (23-Jan-2024)
RoHS konform: Keine Angaben
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
Transistor
,
on semiconductor mosfet
,
smd transistor
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
ONSEMI
,
FDB047N10
,
2322574
,
232-2574
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