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Artikel
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2335325
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SI4963BDY-T1-E3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal:
20 V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal:
4.9 A
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
8 Pin(s)
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal:
20 V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal:
4.9 A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal:
0.025 ohm
Kanaltyp:
p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal:
0.025 ohm
Verlustleistung, n-Kanal:
1.1 W
Verlustleistung, p-Kanal:
1.1 W
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
SOIC
Qualifikation:
-
SVHC:
No SVHC (10-Jun-2022)
RoHS konform: Ja
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>
Zweifache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
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Thyristoren
,
Transistoren
,
Zweifache
,
VISHAY
,
SI4963BDY-T1-E3
,
2335325
,
233-5325
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