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VISHAY SIHP22N60E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 21A, TO-220
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2364084
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SIHP22N60E-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.15 ohm
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Durchsteckmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
21 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TO-220AB
Drain-Source-Spannung Vds:
600 V
Verlustleistung:
227 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
2 V
SVHC:
Lead (19-Jan-2021)
RoHS konform: Ja
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Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
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>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
mosfet vishay
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mosfet
,
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FETs
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Thyristoren
,
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VISHAY
,
SIHP22N60E-GE3
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2364084
,
236-4084
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