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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2443429
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IPA60R190E6XKSA1
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
Leistungsfaktorkorrektur
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.17 ohm
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Durchsteckmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
20.2 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TO-220
Drain-Source-Spannung Vds:
650 V
Verlustleistung:
34 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
3 V
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
Schalttransistor
,
Transistor
,
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,
leistungs-mosfet
,
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,
Dioden
,
Einfache
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FETs
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Gleichrichter
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Thyristoren
,
Transistoren
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INFINEON
,
IPA60R190E6XKSA1
,
2443429
,
244-3429
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