| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-2464078 Herst.-Nr.: MMBT6520LT1G EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Produktpalette: MMBTxxxx MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200 MHzKollektor-Emitter-Spannung, max.: 350 VBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-23 Dauer-Kollektorstrom: 500 mADC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hFEVerlustleistung: 300 mWQualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, (BJT), Bipolare, Dioden, Einzelne, Gleichrichter, Schichttransistoren, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, MMBT6520LT1G, 2464078, 246-4078 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |