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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8737-2471942
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SIHP12N50E-GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.33 ohm
Produktpalette:
E
MSL:
-
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Durchsteckmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
10.5 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TO-220AB
Drain-Source-Spannung Vds:
500 V
Verlustleistung:
114 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
4 V
SVHC:
Lead (19-Jan-2021)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
Transistor
,
mosfet vishay
,
leistungs-mosfet
,
mosfet 10a
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
VISHAY
,
SIHP12N50E-GE3
,
2471942
,
247-1942
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